ເທກໂນໂລຍີ Molecular Beam Epitaxy ຖືກພັດທະນາໂດຍ Bell Laboratories ໃນຕົ້ນຊຸມປີ 1970 ບົນພື້ນຖານວິທີການດູດຊືມສູນຍາກາດແລະການສຶກສາຂອງ Arthur ກ່ຽວກັບ kinetics ປະຕິກິລິຍາຂອງ gallium ເປັນປະຕິສໍາພັນປະລໍາມະນູກັບພື້ນຜິວ GaAs ໃນ 1968. ມັນສົ່ງເສີມການພັດທະນາຂອງການຜະລິດໃຫມ່ຂອງວິທະຍາສາດ semiconductor ແລະເຕັກໂນໂລຊີໂດຍອີງໃສ່ວັດສະດຸ microstructure ຊັ້ນ ultrathin. Molecular beam epitaxy (MBE) ເປັນເທກໂນໂລຍີແຜ່ນບາງ epitaxy ທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ, ເຊິ່ງສາມາດສະແດງອອກໄດ້ວ່າເປັນການສ້າງວັດສະດຸຟິມບາງທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງຫຼືໂຄງສ້າງທີ່ຕ້ອງການຕ່າງໆໂດຍການຄາດຄະເນອະຕອມຫຼື beams ໂມເລກຸນທີ່ຜະລິດໂດຍການລະເຫີຍຄວາມຮ້ອນໃສ່ຊັ້ນໃຕ້ດິນທີ່ສະອາດດ້ວຍທິດທາງແລະອຸນຫະພູມທີ່ແນ່ນອນໃນສະພາບແວດລ້ອມສູນຍາກາດສູງ.
ການວິເຄາະຂະຫນາດຕະຫຼາດຂອງລະບົບ molecular beam epitaxy (MBE).
ລະບົບ molecular beam epitaxial ເປັນອຸປະກອນທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບ semiconductor ແລະ photovoltaic ວັດສະດຸໃຫມ່ແລະການຄົ້ນຄວ້າຂະບວນການ. ຂະຫນາດຕະຫຼາດໂລກຂອງລະບົບ epitaxial beam ໂມເລກຸນບັນລຸໄດ້ 81.48 ລ້ານ USD ໃນປີ 2020, ແລະຄາດວ່າຈະບັນລຸ 111 ລ້ານ USD ໃນປີ 2026, ດ້ວຍອັດຕາການຂະຫຍາຍຕົວປະຈໍາປີປະສົມ (CAGR) ຂອງ 5.26%.
ປະຈຸບັນ, ເອີຣົບເປັນປະເທດທີ່ຜະລິດລະບົບ cluster epitomized ທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດຂອງໂລກ, ສົ່ງອອກໄປຫຼາຍປະເທດໃນໂລກ, ຕົ້ນຕໍແມ່ນນໍາເຂົ້າຈາກການນໍາເຂົ້າ, ເຖິງແມ່ນວ່າມີຜູ້ຜະລິດຈໍານວນນ້ອຍທີ່ມີກໍາລັງການຜະລິດ, ແຕ່ຜະລິດຕະພັນຍັງຂາດແຄນແລະເລັ່ງດ່ວນເພື່ອປັບປຸງມູນຄ່າຂອງຜະລິດຕະພັນເພື່ອຈັບຕະຫຼາດ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ກັບການພັດທະນາຂອງ semiconductor ແລະອຸດສາຫະກໍາວັດສະດຸ, ລູກຄ້າໄດ້ວາງຄວາມຕ້ອງການດ້ານຄຸນນະພາບແລະຕົວຊີ້ວັດດ້ານວິຊາການທີ່ສູງຂຶ້ນເປັນການຄົ້ນຄວ້າທີ່ສໍາຄັນແລະລະບົບ epitaxy beam ໂມເລກຸນຂອງອຸປະກອນການຜະລິດ, ແລະການປ່ຽນແປງໃນສະເພາະແມ່ນມີຄວາມຫຼາກຫຼາຍຫຼາຍຂຶ້ນ. ວິສາຫະກິດລະບົບ epitaxial beam ໂມເລກຸນຄວນຢ່າງຈິງຈັງປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງຜະລິດຕະພັນ, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງເຮັດໃຫ້ຜະລິດຕະພັນຂອງຕົນດຶງດູດ.
ຜູ້ຜະລິດລະບົບ coepitaxial ໂມເລກຸນທີ່ສໍາຄັນໃນຕະຫຼາດປະກອບມີ American veecoc, riber ແລະ Finland dca, ແລະປະເພດທົ່ວໄປຂອງຜະລິດຕະພັນ fastipron ໂມເລກຸນແມ່ນຜະລິດຕະພັນຫຼາຍ, ເຊັ່ນ: veeco, riber ແລະ sienta omicron, ແລະອື່ນໆ ຜູ້ຜະລິດລະບົບ laser molecular beam epitaxial ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບມີຍີ່ປຸ່ນ pascaly, the Netherlands, ປະເພດທົ່ວໄປຂອງ TS, ເນເທີແລນໃນປະຈຸບັນ. ເປັນຕະຫຼາດການຂາຍຕົ້ນຕໍ, ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດແມ່ນປະມານ 73%, ລະບົບ laser molecular beam epitaxial ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເນື່ອງຈາກວ່າຮູບເງົາທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ polyelement, ຈຸດ melting ສູງແລະໂຄງສ້າງຊັ້ນສະລັບສັບຊ້ອນ.
ລະບົບ epitaxy beam ໂມເລກຸນຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນການຄົ້ນຄວ້າຂອງ semiconductor ແລະວັດສະດຸພື້ນຖານ. ຜູ້ບໍລິໂພກຕົ້ນຕໍຂອງລະບົບ cluster epitaxy ແມ່ນປະເທດທີ່ມີລະບົບອຸດສາຫະກໍາທີ່ສົມບູນກວ່າເຊັ່ນ: ເອີຣົບ, ສະຫະລັດ, ຍີ່ປຸ່ນແລະຈີນ, ເຊິ່ງກວມເອົາຫຼາຍກວ່າ 80 ສ່ວນຮ້ອຍຂອງຕະຫຼາດໂລກ. ພ້ອມກັນນັ້ນ, ບັນດາປະເທດທີ່ພວມພັດທະນາເຊັ່ນ: ອິນເດຍ, ອາຊີຕາເວັນອອກສ່ຽງໃຕ້ ແລະ ອື່ນໆໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້ກໍ່ຄ່ອຍໆເພີ່ມທະວີການລົງທຶນໃນຂົງເຂດຄົ້ນຄວ້າພື້ນຖານ, ໃນອະນາຄົດຈະມີທ່າແຮງດ້ານຕະຫຼາດຫຼາຍກວ່າເກົ່າ.
ການແຜ່ກະຈາຍຂອງໂລກຂອງເສດຖະກິດໂລກແມ່ນສ່ວນຫນຶ່ງແມ່ນຍ້ອນການພັດທະນາຂອງເສດຖະກິດໂລກແລະ semiconductor, ມີຄວາມຫຍຸ້ງຍາກໃນການຮັບປະກັນຄວາມສາມາດຂອງວິສາຫະກິດແລະຕະຫຼາດລຸ່ມນ້ໍາ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມຫຍຸ້ງຍາກບາງຢ່າງໃນການຜະລິດຂອງກຸ່ມ microexpanses ເຊັ່ນ: ການຫຼຸດລົງຂອງການຂາຍຂອງບໍລິສັດໃນເຄິ່ງປີໃນເຄິ່ງທໍາອິດຂອງປີ, ດັ່ງນັ້ນວິສາຫະກິດຕ້ອງຮັກສາການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ມີເງິນສົດພຽງພໍ. ເຖິງແມ່ນວ່າສະພາບແວດລ້ອມພາຍນອກແລະບັນຫາການແຂ່ງຂັນຂອງອຸດສາຫະກໍາມີຢູ່, ພວກເຮົາເຊື່ອວ່າການຄາດຄະເນຕະຫຼາດຂອງອຸດສາຫະກໍາທະນາຄານຍັງເປັນຄວາມສົດໃສດ້ານການພັດທະນາທີ່ແນ່ນອນ, ແລະການລົງທຶນຂອງອຸດສາຫະກໍາຈະສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.
MBE ລະບົບການໄຫຼວຽນຂອງຄວາມເຢັນໄນໂຕຣເຈນຂອງແຫຼວ
ອຸປະກອນ MBE ຕ້ອງມີຄວາມສູງແລະໄວ, ດັ່ງນັ້ນຫ້ອງຈໍາເປັນຕ້ອງເຮັດໃຫ້ເຢັນ. HL ມີລະບົບການໄຫຼວຽນຂອງລະບົບລະບາຍຄວາມຮ້ອນໄນໂຕຣເຈນທີ່ເຕັມຮູບແບບເຕັມຮູບແບບ.
ລະບົບການໄຫຼວຽນຂອງໄນໂຕຣເຈນຂອງແຫຼວປະກອບມີ, ທໍ່ສູນຍາກາດ (VI), ທໍ່ທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ VI, ປ່ຽງ VI, ເຄື່ອງແຍກໄລຍະການໄຫຼວຽນຂອງ VI ແລະອື່ນໆ.
HL ອຸປະກອນ Cryogenic
ອຸປະກອນ HL Cryogenic ເຊິ່ງກໍ່ຕັ້ງຂຶ້ນໃນປີ 1992 ແມ່ນຍີ່ຫໍ້ທີ່ຂຶ້ນກັບບໍລິສັດອຸປະກອນ Cryogenic ຂອງ Chengdu ໃນປະເທດຈີນ. ອຸປະກອນ HL Cryogenic ມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະອອກແບບແລະຜະລິດລະບົບທໍ່ Cryogenic ທີ່ມີ insulated ສູງສູນຍາກາດແລະອຸປະກອນສະຫນັບສະຫນູນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ.
ສໍາລັບຂໍ້ມູນເພີ່ມເຕີມ, ກະລຸນາຢ້ຽມຊົມເວັບໄຊທ໌ທາງການwww.hlcryo.com, ຫຼືສົ່ງອີເມວຫາinfo@cdholy.com.
ເວລາປະກາດ: ກໍລະກົດ-20-2022
