ເມື່ອເວົ້າເຖິງການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນ Molecular Beam Epitaxy (MBE), ການຮັກສາສະພາບແວດລ້ອມຄວາມຮ້ອນໃຫ້ໝັ້ນຄົງແມ່ນສິ່ງສຳຄັນທີ່ສຸດ. ຖ້າທ່ານຕ້ອງການຜລຶກທີ່ບໍລິສຸດ ແລະ ຊັ້ນທີ່ສະເໝີກັນ, ຢູ່ທີ່ນັ້ນ'ມັນບໍ່ມີທາງຫຼີກລ່ຽງມັນໄດ້. ທີ່ HL Cryogenics, ພວກເຮົາຮູ້ວ່າສິ່ງທ້າທາຍທີ່ແທ້ຈິງກັບການເຕີບໂຕຂອງ Gallium Nitride (GaN) ແມ່ນຂຶ້ນກັບວ່າທ່ານຄວບຄຸມການສົ່ງໄນໂຕຣເຈນແຫຼວ (LN) ໄດ້ດີປານໃດ₂) ໄປຫາບ່ອນແຊ່ແຂງ. ມັນ'ເກມຂອງຄວາມແມ່ນຍໍາ—ທຸກໆຢອດຕ້ອງເປັນຂອງແຫຼວທີ່ບໍລິສຸດ, ເຢັນລົງ, ຈົນເຖິງຈຸດທີ່ມັນສຳຄັນ. ຖ້າມີໄນໂຕຣເຈນທີ່ເປັນອາຍແກັສໃດໆລື່ນເຂົ້າມາ—ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນຍ້ອນຄວາມຮ້ອນທີ່ລັກເຂົ້າມາໃນລະຫວ່າງການຖ່າຍໂອນ—ເຈົ້າໄດ້ຮັບຈຸດຮ້ອນ ແລະ"ການຖົ່ມນໍ້າລາຍ"ພາຍໃນຫ້ອງ MBE. ນັ້ນ'ຂ່າວຮ້າຍສຳລັບຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາ GaN.

ນີ້ແມ່ນບ່ອນທີ່ພວກເຮົາເຄື່ອງແຍກໄລຍະທີ່ມີฉนวนສູນຍາກາດກ້າວຂຶ້ນ. ໂດຍການວາງມັນໄວ້ທີ່ປາຍທໍ່ສະໜອງໄນໂຕຣເຈນແຫຼວ, ພວກເຮົາຈັບ ແລະ ກຳຈັດອາຍແກັສທີ່ກະພິບນັ້ນກ່ອນທີ່ມັນຈະສ້າງຄວາມເສຍຫາຍໃດໆ. ຜົນໄດ້ຮັບແມ່ນ? ກະແສຂອງແຫຼວທີ່ໝັ້ນຄົງ ແລະ ໜາແໜ້ນ, ຄືກັນກັບທີ່ທ່ານຕ້ອງການ. ມັນເຮັດວຽກຄຽງຄູ່ກັບພວກເຮົາທໍ່ສນວນສູນຍາກາດແລະທໍ່ຍືດຫຍຸ່ນ, ເຊິ່ງທັງສອງຖືກອອກແບບມາເພື່ອປ້ອງກັນຄວາມຮ້ອນຈາກພາຍນອກບໍ່ໃຫ້ເລືອເຂົ້າມາ. ທໍ່ດັ່ງກ່າວໃຊ້ວັດສະດຸກັນຄວາມຮ້ອນແບບສູນຍາກາດທີ່ທັນສະໄໝ ແລະ ເທັກໂນໂລຢີຫຼາຍຊັ້ນເພື່ອຮັກສາຄວາມໜາວເຢັນ, ເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍໄນໂຕຣເຈນແຫຼວເມື່ອທຽບກັບທໍ່ໂຟມແບບເກົ່າ. ແລະ ສຳລັບຈຸດທີ່ທ່ານຕ້ອງການຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ ຫຼື ມີຮູບແບບທີ່ຫຍຸ້ງຍາກ, ຂອງພວກເຮົາທໍ່ຍືດหยุ่นທີ່ກັນຄວາມຮ້ອນສູນຍາກາດງໍ ແລະ ເຄື່ອນຍ້າຍໂດຍບໍ່ສູນເສຍຊັ້ນກັນຄວາມຮ້ອນ ຫຼື ຄວາມປອດໄພຂອງມັນ.

ເພື່ອຮັກສາລະດັບສູນຍາກາດເຫຼົ່ານີ້ໃຫ້ແຂງແກ່ນຕະຫຼອດຫຼາຍປີທີ່ຜ່ານມາ, ພວກເຮົາອີງໃສ່ລະບົບປໍ້າສູນຍາກາດແບບໄດນາມິກມັນ'ພວກເຮົາຕິດຕາມກວດກາ ແລະ ຮັກສາຄວາມກົດດັນໃນເສື້ອສູນຍາກາດຢູ່ສະເໝີ, ດັ່ງນັ້ນວັດສະດຸກັນຄວາມຮ້ອນຈຶ່ງບໍ່ເຮັດໃຫ້ທ່ານຜິດຫວັງ. ສຳລັບການຄວບຄຸມການໄຫຼ, ພວກເຮົາໃຊ້ວາວກັນຄວາມຮ້ອນສູນຍາກາດທີ່ຖືກອອກແບບມາຢ່າງແມ່ນຍໍາຂອງພວກເຮົາ. ມັນຢຸດການລັດວົງຈອນຄວາມຮ້ອນ ແລະ ການສະສົມຂອງນ້ຳກ້ອນຢູ່ທີ່ກ້ານ, ແລະ ມັນຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານປິດໄດ້ຢ່າງແໜ້ນໜາ ແລະ ການຄວບຄຸມທີ່ຖືກຕ້ອງ, ເຖິງແມ່ນວ່າຢູ່ທີ່ -196°C.